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半球閥在多晶硅行業的應用

多晶硅生產工藝參數:
介質：硅粉、氮氣、氫氣、氯化物 (如氯化氫等)
溫度：65~350 C
壓力：0.5 ~ 0.75 M Pa
硅粉顆粒很小，容易進入閥門空腔和閥座空腔，造成卡死閥座及抱死閥門
2)硅粉硬度很高，達到HRC56~62
3)HCL具有腐蝕性

多晶硅用半球閥的特點：
1、由于現場環境中含有CL2，HCL等腐蝕性氣體及灰塵顆粒雜質，執行機構選用免維護的汽缸活塞式執行機構，氣路采取304不銹鋼管連接，所有外部的零部件（填料壓板、壓蓋、標準件等）均為不銹鋼標準配制。閥體采用304L、316L等不銹鋼。
2、密封面高速氫氧氣噴涂工藝：采用以氫氣為燃料的噴涂工藝：氫氣、氧氣充分燃燒爆炸后，產生高速火焰（火焰速度高達6000碼/秒三倍音速），通過特別設計 的噴槍，金屬粉末粒子被高速噴涂到球體表面及閥座的密封面上，從而形成致密的、具有極強粘結度的涂層，涂層表面硬度高達HRC72～76。在加工過程中，被加工零件表面溫度不超過300華氏度，這樣就使得溫度升高對該涂層的硬度影響并不大。
3、可供選擇的表面硬化處理方法,克服因氯化物而引起的腐蝕泄漏問題
------ 在現代的表面硬化方法中,碳化鎢涂層是硬度最高的,但是在腐蝕工況中,其抗腐蝕能力是極低的，因此會產生閥門泄漏的問題。在這種工況下，最合適的解決方案是表面硬化處理采用碳化鉻（HRC 66~68）涂層的方法。
碳化鉻表面硬化處理方法既解決了硅粉顆粒對閥門密封面的磨損與沖刷問題，也提高了閥門的抗腐蝕性。